• 李雪 2020暑 初二物理暑假精英班 9讲带讲义完结|百度云网盘

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    2023-03-25 密语是啥 密语是干嘛的

  • 2022高考化学高辉考前终极押题|百度云网盘

    2022高考化学高辉考前终极押题目录:2.考前—个月备考攻略:如何科学高效复习.m41.考前—个月备考攻略:如何落实查漏补缺高辉.m41.决胜高考之选择题的变与不变(1).m403决胜高考之气体与仪器实验的变与不变(高辉).m402决胜高考之反应原理的变与不变.m4220428_174707-2022高考化学冲刺班讲义(终版)20220329(1).df高辉化学资料:【化学】6大要点,破解高中化学“实验综合题”.df【化学】高中化学实验现象80例总结.df【化学】高中化学实验重要知识点.df【化学】高中化学无机部分知识点梳理.df【化学】化学考试逃不出这30个规律,这份总结有点稳.df【化学】化学实验常用仪器大全及注意事项.df【化学】化学易混淆重要知识点.df【化学】化学由差转优的7个方法,短时间提分真管用!.df【化学】化学之最集锦.df【化学】这120个学霸也易错的化学知识点,你都掌握了吗?.df常考易错的36个离子方程式书写.df常考易错的化学基本概念.df高考化学微专题学案微专题解读及训练(1-6).df高考化学与STSE真题汇编(1).df高考化学与STSE真题汇编.df化学计量中常考易错的选项集中练.df硫、氮及其化合物.df钠、铝及其化合物.df水的电离和溶液的H(1).df水的电离和溶液的H.df酸碱中和滴定变形题目.df碳、硅、氯.df铁、铜及其化合物.df无机框图推断题的解题策略.df氧化还原反应.df...

    2023-03-25

  • 阴阳先生风水视频课程21讲

    课程介绍课程来自于鲁阴阳先生风水视频课程21讲阴阳先生,民间三出之一(出马、出道、出黑,其中出黑就是指阴阳先生)。多指懂些风水、阴阳八卦、五行命理的一类人;早期多从道教演化而来,为人推算祸福吉凶、生老病死等等。文件目录01戊戌年阴阳先生风水第一集.m402戊戌年阴阳先生第二集.m403戊戌年阴阳先生第三集.m404戊戌年阴阳先生第四集.m405戊戌年阴阳先生第五集.m406戊戌年阴阳先生第六课.m407戊戌年阴阳先生第七课.m408戊戌年阴阳先生第八课.m409戊戌年阴阳先生第九课.m410戊戌年阴阳先生第十课.m411戊戌年阴阳先生第十一课.m412戊戌年阴阳先生第十二课.m413戊戌年阴阳先生第十三课.m414戊戌年阴阳先生第十四课.m415戊戌年阴阳先生第十五课.m416戊戌年阴阳先生第十六课.m417戊戌年阴阳先生第十七课.m418戊戌年阴阳先生第十八课.m419戊戌年阴阳先生第十九课.m420戊戌年阴阳先生第二十课.m421戊戌年阴阳先生第二十一课.m4风水学...

    2023-03-25 阴阳先生 戊戌年是哪一年 阴阳先生 戊戌年出生好吗

  • 《模拟电子技术 第2版》韩党群;赵波;刘勃妮|(epub+azw3+mobi+pdf)电子书下载

    图书名称:《模拟电子技术第2版》【作者】韩党群;赵波;刘勃妮【页数】323【出版社】西安:西安电子科技大学出版社,2021.12【ISBN号】978-7-5606-6318-0【价格】52.00【分类】模拟电路-电子技术【参考文献】韩党群;赵波;刘勃妮.模拟电子技术第2版.西安:西安电子科技大学出版社,2021.12.图书封面:图书目录:《模拟电子技术第2版》内容提要:本书主要介绍半导体及其模拟器件的应用电路、相关知识和分析理论。全书共10章,内容包括二极管、三极管及其放大电路、场效应管及其放大电路、放大器的频率响应、集成运算放大器、反馈、运算放大器应用、功率放大电路、信号的产生与变换电路及直流稳压电源等,每章含相关电路的Multiim仿真内容,全书配套了PPT、习题答案及仿真案例的电子资源,供读者扫码下载,以方便学习和应用。本书适合作为普通高等院校电子信息类专业模拟电子技术课程的教材使用,亦可作为各类电子竞赛的培训用书及相关专业工程技术人员的参考资料。《模拟电子技术第2版》内容试读第1章二极管K第1章二极管半导体材料的发现和使用是现代电子技术的基础。本章初步认识半导体材料及其性质,进而学习半导体材料构成的PN结的结构、特性及二极管的分类与应用。1.1害导体材料自然界的物质种类繁多,形态各异,特性差别巨大,这才造就了这个▣神奇多彩的世界。在电学领域人们非常关注各种物质的导电性,按照导半导体材料电性的不同可以把物质划分为导体、绝缘体和半导体。大部分金属物质如金、银、铜、铁等具有良好的导电性能,称为导体,导体的电阻率通常小于106Ω·m橡胶、塑料、玻璃等物质导电性能极差,几乎不导电,称为绝缘体,绝缘体的电阻率大于102·。导电性能介乎导体与绝缘体之间的物质如硅、锗、硒等称为半导体,其电阻率在106~108Ω·m之间。半导体材料对于电子技术的发展起着决定性的作用,现代电子技术以及以此为基础发展起来的计算机技术、通信技术、信息处理技术等都是建立在半导体材料的应用基础之上的。在长期研究和应用半导体材料的过程中,人们发现半导体材料具有许多独特的特性,主要体现在其热敏特性、光敏特性及掺杂特性上。所谓热敏特性是指半导体材料在不同的温度条件下其导电性能不同,比如热敏电阻就是利用半导体材料对温度变化的热敏特性制成的。所谓光敏特性是指半导体材料在受到不同波长、不同强度的光照射的情况下体现出的导电性能的变化,如光敏电阻、光敏二极管及光电池等都是利用半导体器件的光敏特性工作的。所谓掺杂特性是指在半导体材料中参入适量的杂质元素可以改变半导体材料的导电性能的特性,二极管、三极管及场效应等大量的半导体器件都是利用半导体材料的掺杂特性进行工作的。1.1.1本征半导体纯净且不含杂质的半导体材料称为本征半导体。这一类的物质从原子微观结构上看其典型特征为通常具有4个价电子,位于元素周期表的第V主族,如硅和锗等。硅原子的外围电子数为14,其对应的原子结构示意图如图1-1所示。硅原子聚合在一起形成硅的晶体,其结构如图1-2所示。在晶体中每个硅原子与相邻的4个硅原子之间通过共用最外层的价电子形成稳定的共价键结构,这样每个硅原子通过与相邻原子之间共用价电子形成8个最外层电子的稳定结构。本征半导体中的共价键结构并非牢不可破,受外界热能、光能的激发这些共价键可能断裂,即某些共价键中的电子受到激发挣脱共价键的束缚成为自由电子,同时在自由电子逃脱的位置留下一个“空位”,把这个空位称为空穴。每有一个共价键断裂,就对应形成一。1·模拟电子技a…》4+4图1-1硅原子结构图图1-2硅的晶体结构个自由电子和一个空穴,因此受外界能量激发而产生的自由电子和空穴总是成对出现的称为电子-空穴对。自由电子和空穴是半导体材料导电的载体,称为载流子。电子带负电,自由电子在本征半导体内部可以自由移动形成导电电流,称为电子电流;空穴带正电,空穴也可以导电,形成的导电电流称为空穴电流。空穴导电的原理可以这样理解:某个空穴临近的共价键断裂形成的自由电子被该空穴俘获,形成新的共价键,该空穴与自由电子复合消失,但是在新断裂的共价键的位置上又出现了一个新的空穴,可以把这个新出现的空穴看作是原来的空穴移动到了此处,空穴不断地被复合、移动、再复合、再移动就形成了空穴电流。温度的变化对本征半导体中自由电子和空穴的浓度有较大的影响。以硅晶体为例,在一273℃(即热力学温度0K)时本征半导体的共价键的价电子得不到足够的激发能量,保持稳定,此时的半导体内部没有可自由移动的载流子,不能导电,相当于绝缘体。随着温度的上升,半导体材料的导电能力增强,当温度达到室温25℃时,硅晶体中自由电子的浓度达到1.45×101°/cm3。图1-3所示为载流子形成过程示意图,图中不受共价键束缚的黑点表示自由电子,自由电子挣脱后的位置上形成空穴,用空心小圆圈表示。温度越高,本征半导体受热激发产生的载流子浓度越高,导电能力越强。虽然温度升高可以激发出大量的载流子,但是受热激发而断裂的共价键占整个共价键的比例微乎其微,因此本征半导体即使受热激发产生了大量的载流子,其导电能力仍与金属导体的导电性能相差甚远。电子空穴空穴电子图1-3载流子的形成·2第1章二极管SSAASSS1.1.2杂质半导体本征半导体在半导体元器件的生产过程中主要充当基础材料来使用,通常在本征半导体中掺入微量的“杂质”元素构成杂质半导体。根据掺杂元素的不同,杂质半导体又可以分为P型半导体和N型半导体。1.P型半导体在本征半导体中掺人微量的+3价元素,如硼、铟等,即可构成P型半导体,图1一4所示为在硅材料中掺入硼元素形成的P型杂质半导体材料的晶体结构。掺人的十3价硼原子在与硅原子形成共价键结构时,由于硼原子最外层只有3个价电子,因此每个硼原子只能与3个相邻的硅原子结合形成共价键结构,由于缺一个价电子不能与第4个相邻的硅原子形成共价键,这样就在该硼原子外部形成了一个空位,如果这个硼原子周围的硅晶体的共价键受激发断裂形成的自由电子被硼原子俘获,填补到该空位上就可以在硼原子外部形成4个完整的共价键结构了,此时的硼原子变成了一个不可移动的带负电的离子,而失去电子的位置上形成了一个带正电的空穴,此时整个半导体对外仍呈现电中性。参杂的浓度越高,杂质半导体材料中的空穴的浓度就越高。在P型半导体中由于掺杂提供了大量空位+4的空穴,因此空穴的浓度远高于因共价键激硼原子发断裂而产生的自由电子的浓度,因此把空+4+4+4穴称为多数载流子,简称多子,而自由电子空穴空穴的浓度仅与激发产生的自由电子的浓度有电子+3+4关,并且数量极少,称为少数载流子,简称少硼原子子。由于掺人的杂质元素可以接收自由电子形成共价键结构,因此把掺入的杂质元素称图1-4P型半导体为受主元素。2.N型半导体在本征半导体中掺人少量的十5价元素,如磷、砷等,即可构成N型半导体。图1-5所示为在硅材料中掺入少量磷元素形成的N型杂质半导体的晶体结构。掺入的十5价磷原子在与硅原子形成共价键结构时,由于磷电子原子最外层价电子数为5个,每个磷原子与+4+4周围的4个硅原子形成共价键后多出一个电磷原子子,该电子由于不受共价键的束缚成为自由+4电子,失掉一个电子的磷原子成为带正电的空穴电子离子,但是整个杂质半导体对外显示电中性。电子+4摻杂浓度越高,提供的自由电子的浓度就越一磷原子高,N型半导体材料的导电性就越好。每个杂质原子提供一个自由电子,称为施主元素。图1-5N型半导体·3·模拟电子技术…》在N型半导体中除了杂质提供的大量的自由电子外,杂质半导体本身也会由于激发而产生少量的电子一空穴对,因此自由电子的浓度远高于空穴的浓度,称为多子,而空穴称为少子。1.1.3化合物半导体由单一的硅、锗等第V主族元素构成的本征半导体也称为元素半导体,由几种元素化合而成的半导体材料称为化合物半导体,如砷化镓(GaA)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)及锑化铟(IS)等。化合物半导体材料由于在某些方面的突出特性而使其得到广泛的应用。化合物半导体材料也可以通过掺杂得到对应的杂质半导体。随着微电子技术的发展,砷化镓材料已是化合物半导体材料中应用最为广泛、相关技术最为成熟的材料。采用砷化镓材料制作的超高速集成电路和微波、毫米波单片集成电路是雷达电子对抗、高速计算机及卫星通信设备提高速度的关键电路,亦广泛用于蜂窝电话、数字个人通信、光纤通信以及航天系统等领域。采用砷化镓材料可制作半导体发光器件,如发光二极管(LED)和固体半导体激光器(LD),尤其是以砷化镓材料制作的各种发光二极管,具有耗电量小、寿命长、发热量少、反应速度快、体积小等许多优点,是当今半导体照明工程中不可或缺的一大材料分支,其相关产品已在室内及户外显示、LCD背光源、全彩显示屏、交通信号灯、汽车灯具等领域得到了广泛应用。1.2PN结及其特性通过半导体加工工艺把P型半导体与N型半导体紧密地结合在一▣起,在两种材料的接触面之间就形成了PN结。PN结及其特性1.2.1PN结的结构P型半导体掺人的杂质元素提供导电空穴,空穴带正电,每个带正电的空穴与提供该空穴的杂质离子一起对外显示电中性,如果杂质原子俘获了外来电子,复合掉了本身的空穴,则成为带负电的离子,则必然在其他位置由于失去电子而形成新的空穴,带负电的杂质离子与对应的空穴整体上对外仍然显示电中性。这里为研究问题简单起见,我们认为P型半导体材料中每个杂质原子提供了一个带正电的空穴,而自身成为带负电的离子。对于N型半导体而言,参入的杂质提供导电的自由电子,电子带负电,每个杂质原子可以提供一个自由电子,而自身由于失去一个电子而带正电,成为带正电荷的离子。掺杂形成的离子是不能移动的,但是它可以参与导电,真正起导电作用的是空穴和自由电子。当把两种不同的杂质半导体结合在一起时,在两种材料的接触面会出现什么现象呢?P型半导体内部的多子为空穴,浓度远远高于少子电子的浓度;N型半导体的多子为电子,其浓度远远高于少子空穴的浓度。当两种半导体材料结合在一起时,在接触面两侧,P型半导体中空穴的浓度远远高于N型半导体中空穴的浓度,而N型半导体中电子的浓度又远远高于P型半导体中电子的浓度。由于接触面两侧彼此的多子的浓度存在很大的差异,因此浓度高的一侧的多子会向浓度低的一侧移动,使接触面两侧的多子的浓度趋于平衡,4第1章二极管k把这种由于浓度差引起的载流子的移动称为扩散运动。图1-6所示为PN结形成开始阶段多子扩散示意图。由于扩散运动的存在,N型半导体一侧的多子电子扩散到P型半导体一侧,并与P型区的多子大量复合,P型区的空穴被复合以后只留下带负电的杂质离子;同理,P型区的空穴扩散到N型区并与N型区的电子大量复合,N型区的电子被复合掉后只留下带正电的杂质离子,把接触面两侧多子被复合后剩余的带电离子层称为耗尽层。由于杂质离子带电,将在接触面的两侧由带电离子形成一个区域电场,称为内电场,内电场的方向由N型区指向P型区。内电场的形成对多子的扩散具有阻碍作用。随着扩散的持续,两侧带电离子层越来越宽,内电场变得越来越强,电场对多子的扩散的阻碍作用越来越强,多子的扩散变得越来越困难,越来越弱。图1-7所示为PN结的结构示意图。P型耗尽层N型P型N型8ooo⊙⊕®@©oOOOO④⊕⊕④内电场E图1-6扩散运动图1-7PN结结构示意图其实,P型区和N型区都存在一定量的少子,少子的数量虽然少,但是双方的少子可以彼此移动到对方参与导电,把少子的这种移动称为漂移运动。在P型区和N型区接触之初,两边的多子浓度差大,多子扩散运动强烈,少子的漂移运动很弱,但是随着扩散的持续,内电场出现并不断加强,内电场对于P型区的少子电子及N型区的少子空穴穿越接触面有加速作用,因此,随着内电场的增强,扩散运动变得越来越弱,漂移运动却变得越来越强,最终扩散运动和漂移运动达到平衡,耗尽层不再加宽,内电场也稳定下来,把此时存在于P型半导体材料和N型半导体材料接触面之间的这样一种结构就称为PN结。它是接触面两侧多子的扩散运动与少子的漂移运动达到动态平衡的结果。PN结的发现和应用对电子技术的发展起到了巨大的、基础的作用,如果没有PN结,很难想象现在的科技发展会是一番什么样的状况!1.2.2PN结的导电性能给PN结的两侧施加不同电压,研究PN结在不同电压条件下的导电性能,并定义流过PN结的电流与PN结两侧所加电压的关系为PN结的伏安特性。根据所加电压方向的不同,PN结的伏安特性又分正向伏安特性和反向伏安特性。1.正向伏安特性给PN结外加直流电压,P型区接电源的正极,N型区接电源的负极,此时称PN结加正向电压或PN结正偏,如图1-8所示。这里取流入P型区的电流I的方向为电流的参考正方向,规定PN结上电压U的参考方向为P型区为正,N型区为负。由于外加电源的接入,P型区注入了大量的正电荷,N型区注入了大量的电子,并且由于外加直流电压UE的存在,在PN结的耗尽层的两侧建立起一个外加的电场E,,该电场与PN结的内电场E方向相反,因此内电场E必然受到外加电场E,的削弱,E的削弱则有利于PN结两侧多子的·5·模拟电子技术…》扩散,因此扩散运动加强,耗尽层被压缩变窄。当外加直流电压幅值足够高时,两侧的多子的扩散运动足够强,耗尽层被压缩到完全消失,PN结呈现导通的状态。耗尽层P型被压缩N型3oa白ococoo00ooogI/mA日日日日:⊙①①©①①25内电场E20一外电场E11510R00.20.40.60.81.0UW图1-8PN结正偏图1-9PN结正向伏安特性图1-9为硅材料PN结加正偏电压时的伏安特性示意图,从图可以看出,当外加电压幅值比较低时,PN结的导通电流几乎为零(其实此时的电流是有的,只是电流非常微弱,忽略掉了),但是随着外加电压的增加,PN结的导通电流开始出现,并且,在此之后随着外加直流电压的增大电流急剧上升。把PN结电流近似为零的区域称为死区。PN结的正偏导通电流随外加正偏电压的变化现象与PN结内部微观结构在正偏电压作用下的变化是一致的。当正偏电压幅值较小时,PN结的耗尽层只是被压缩变薄,PN结两侧多子的扩散仍然受到内电场的阻碍,电流很小;当外加正偏电压增加到一定幅值,耗尽层几乎被压缩消失,此时扩散电流出现并上升,之后随着外电压的增大而增大;当正偏电压足够强,内部的耗尽层及内电场完全被瓦解,此时PN结两侧完全导通,外电压的增加全部转化为回路电流的增加,电流上升显著。在图1一8所示的测试电路情况下,如果在PN结导通后显著地调高外加电压U:的幅值,PN结两端的电压U并不会显著上升,而是近似为一个常数,对于硅材料PN结,该电压约为O.6~0.7V,此时,电源电压主要消耗在回路串联电阻R上。如果没有串联电阻R,给PN结直接施加较高的电压,PN结将产生很大的电流,长时间工作必然造成PN结的损坏。2.反向伏安特性和正偏电压的方向相反,P型区接直流电源的负极,N型区接直流电源正极,称PN结外加反向电压或PN结反偏。图1-10所示为PN结耗尽层反偏伏安特性测试电路。在此,仍规定流入PN结PP型被拉宽N型型区的电流方向为电流的正方向,PN结上电压的参880⊙⊙9⊕eo'oOO⊙日⊙④⊕⊕⊕④考方向仍取P型区为正,N型区为负。可以看出,此白8白日a⑧⑧®e8时外加直流电压在PN结两侧产生一个外电场E,,该日O⊙⊙⊙①①①o外电场的方向与PN结本身内电场E的方向一致,因内电场E此相当于内电场E增强,耗尽层变宽,多子的扩散运外电场E动被进一步抑制。由于PN结两侧等效的电场增强,有利于PN结两侧少子的漂移运动,因此反偏状态下R的PN结会有从N型区到P型区的漂移电流,但是由。6图1-10PN结反偏···试读结束···...

    2023-03-01 epub电子书下载 epub电子书网站

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    云海没有观景台。邦云海没有观景台,但是可以通过当地酒店的观景阳台欣赏风景。邦云海位于临沧市临翔区东部的邦东乡,是由于西南暖湿气流沿着澜沧江狭长的谷地一路北上,到了邦、马台一带,西有高耸入云的临沧大雪山、五老山,东有高大不可丈量的无量山。这些暖湿气流遇阻,从海拔700多米散发着热气的江面,被迅速抬升到海拔3000米以上的清凉高空,这些水汽遇冷形成冷凝面,从而形成邦云海的奇观。驱车从昆明出发、经玉溪、墨江碧溪、镇沅、勐大、振太、秀山、穿过澜沧江大桥后出昔归收费站,再爬坡几公里到达山顶就是邦东乡政府所在地。点评:这段文字描述了邦云海的美景,以及到达邦东乡政府的路线,描述详细生动,配图也很棒,可以让读者更加直观地感受到邦云海的美丽。...

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  • 中国的地形是西什么什么

    1、地势西高低,呈阶梯状分布。我国地处亚欧大陆的东南部,地势西部高而东南低,西部多高山和高原,东部沿海多丘陵和平原,形成一个以西南部的青藏高原最高,由西向东逐级下降的阶梯状斜面。2、我国地势西高低、呈阶梯状分布的基本特征。3、我国复杂多样的地形造就其复杂多样的气候;地势西高低、呈阶梯状分布的特点,有利于湿润空气深入内陆,供给大量水汽;使大河滚滚东流,沟通东西交通;大河由高一级阶梯流人低一级阶梯的地段,水流湍急,就会产生巨大的水能。4、我国地形复杂,有高原、山地、平原、丘陵、盆地五种地形,山区面积广大,约占全国面积的2/3;地势西高低,大致呈三阶梯状分布。5、西南部的青藏高原,平均海拔在4000米以上,为第一阶梯。6、大兴安岭——太行山——巫山——云贵高原一线以西与第一阶梯之间为第二级阶梯,海拔在1000米~2000米之间,主要为高原和盆地。7、第二阶梯向东的陆地面积是第三阶梯,海拔通常在500米以下,主要为丘陵和平原。点评:...

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    2023-02-21

  • 《小学数学“好活动”思与行》刘旭主编|(epub+azw3+mobi+pdf)电子书下载

    图书名称:《小学数学“好活动”思与行》【作者】刘旭主编【页数】291【出版社】北京:首都师范大学出版社,2022.05【ISBN号】978-7-5656-5625-5【价格】59.80【分类】小学数学课-教学研究【参考文献】刘旭主编.小学数学“好活动”思与行.北京:首都师范大学出版社,2022.05.图书封面:图书目录:《小学数学“好活动”思与行》内容提要:随着基础教育课程改革的不断深入,尤其是面对当前落实“核心素养”的迫切诉求,如何将核心素养与常态教学结《小学数学“好活动”思与行》内容试读第一部分学生的发展需要好的活动设计○口△小学数学“好活动”思与行第一节核心素养与好活动一、核心素养的内涵与价值“素养”是个体内化于心、外践于行,相对稳定的能力与品格的集合,主要体现在学生通过系统的教育而具备的知识、能力、态度,在解决具体问题情境过程中的整合表现。而“核心”指的是学生发展中最基础的、必备的和最关键的部分。那么何为核心素养呢?至今为止并没有一个明确的界定,而对其的认识是一个不断加深、丰富完善的过程。(一)发展学生核心素养的国际共识联合国教科文组织“国际21世纪教育委员会”于1996年发布《学习:财富蕴藏其中》的报告,以终身学习为指导思想,提出了包括学会求知、学会做事、学会共处、学会发展的四大终身学习支柱。2003年,联合国教科文组织教育研究所(UNESCOItituteforEducatio,简称UIE)又提出了“学会改变”的基本素养,组成了“终身学习”的指标体系。同年2月,学习指标专项任务发布了《向普及学习迈进·每个孩子应该学什么》的报告,提出了对青少年最为重要的七个素养:身体健康、社会情绪、文化艺术、文字沟通、学习方法与认知、数字与数学、科学与技术。四经济合作与发展组织(0ECD)于1997年启动了“素养的界定与遴选:理论和概念基础”DeSeCo)项目,开始了21世纪核心素养框架的研制工作,并于2005年正式公布成果,其认为:“核心素养是指覆盖多个生活领域的,促进成功的生活和健全的社会的重要素养”。该框架从社会心理学角度选择核心素养并定义其具体内容,以实现个人成功生活与发展健全社会为基础,将核心素养划分为“互动地使用工具、在社会异质群体中互动和自主行动”[1]林崇德.21世纪学生发展核心素养研究[M们.北京:北京师范大学出版社,2016:15-29[2]张娜,DeSeCo0项目关于核心素养的研究及启示[J].教有科学研究,2013(10):39-45.2第一部分学生的发展需要好的活动设计三个类别,这三个类别关注不同方面,但彼此间相互联系,共同构成核心素养的基础,同时该框架超越传统意义上的知识与技能,以反思为核心,整合了各个核心素养。四欧盟组织于2002年开始重视核心素养的问题,将核心素养的问题置于终身学习的视域下进行阐释:“核心素养代表了一系列知识、技能和态度的集合,它们是可迁移的、多功能的,这些素养是每个人发展自我、融入社会及胜任工作所必需的。”之后经过多年的不断变化和发展,最终从知识、技能和态度三个维度对母语交流、外语交流、数学素养和科技素养、数字化素养、学会学习、社交和公民素养、主动与创新意识、文化意识与表达这八个一级指标进行了具体描述。回美国于2002年成立了21世纪核心素养联盟(Parterhifor21tCeturySk,简称“P21”)。P21建构了以核心素养为中轴的“21世纪学习体系”其包括“21世纪学生培养目标”及“21世纪支持系统”,其体系主要包括学习结果、支持系统。学生的学习结果主要包括“学习与创新技能”“信息、媒体与技术技能”“生活与职业技能”,这三项的落实都要基于核心科目与21世纪主题。支持系统为标准与评价、课程与教学、教师与专业发展、学习环境。这个框架体系致力于关注21世纪职场的需要。日本于2013年向社会公布了以《培养适应社会变化的素质与能力的教育课程编制的基本原理》为标题的研究报告,提出了面向国际、立足本国的核心素养框架:21世纪型能力。其框架是一个同心圆型,由基础能力、思维能力和实践能力三部分组成。基础能力是指学生对于语言文字、数字和信息技术的学习与运用能力,它是实现另外两个方面的“核心素养”的基础与前提;思维能力是指发展学生的逻辑思维能力、批判思维能力、元认知能力、[1]裴新宁,刘新阳.为21世纪重建教有—欧盟核心素养框架的确立[U].全球教育展望,2013(12):30.[2]裴新宁,刘新阳.为21世纪重建教育一欧盟核心素养框架的确立[J].全球教育展望,2013(12):89-102.[3]刘新阳,裴新宁,教育变革时期的政策机遇与挑战一欧盟“核心素养”的实施与评价[U].全球教育展望,2014(4):75-85.[4们裴新宁,刘新阳.为21世纪重建教育一欧盟核心素养框架的确立[U].全球教育展望,2013(12):31.[5]罗朝猛.21世纪型能力:“核心素养”的日本表达[J].教书育人,2017.(8):37-38.3○口△小学数学“好活动”思与行创造力及对社会和环境的适应能力,它是培养“21世纪型能力”的中间环节,是基础能力的深化,是发展实践能力的前提,因此它是联系基础能力和实践能力的重要纽带,是“21世纪型能力”的核心;实践能力则是指个体在生活和学习过程中发现和解决问题,并最终将解决问题的方法推广到社会的能力。因此,日本的“核心素养框架”是环环相扣的,三个同心圆联系密切,比较利于教学实践。从以上各国际组织、国家、地区对核心素养的研究来看,21世纪发展学生核心素养达成了国际共识,为了更好地对其进行研究和落实,世界各个国家(地区)及国际组织纷纷对核心素养概念内涵进行了界定(见表1)。表1国际组织/国家/地区对核心素养的定义)国际组织/国家地区核心素养的定义核心素养使个人拥有良好的、成功的生活。这种成功的生活表现为与他人具有亲经济合作与发展密的关系,理解自我和自身所处的世界,与自身的生理和社会环境自主互动,拥组织有成就感和愉悦感。核心素养对多样的社会和个人均具有包容性,它回答的问题是普通人要想在社会中安身立命同时能够应对日新月异的技术发展,需要哪些素养。联合国教科文组核心素养指向终身学习,并提出“学会求知、学会做事、学会共处、学会发展织学会改变”五大支柱素养是适宜于特定情境的知识、技能和态度的组合,核心素养是指一个人要在知欧盟识社会中自我实现、社会融人以及就业所需要的素养,其中包括知识、技能与态度欧盟对核心素养的定位是在义务教育与培训阶段结束之前,年轻人应该具备这些素养,以使他们能过好成年生活,并以此作为终身学习的基础。核心素养主要指所有学生或工作者都必须具备的能力,其发展目的在于培养具有美国21世纪工作技能及核心竞争能力的人,确保学生从学校所学的技能能够充分满足后续大学深造或社会就业的需求,成为21世纪称职的社会公民、员工及领导者。核心素养是指为了适应将来的生活,年轻人需要具备的关键技能(keykill),以及英格兰学习、生活和工作所需的资质。其中的关键技能,主要是一种普通的、可迁移的、对劳动者的未来发展起关键性作用的能力。苏格兰核心技能(corekill)是指为了全面成为一个活跃与负责任的社会成员所必须具有的广泛的、可迁移的技能。“ocle(foudatioorcore)ofcometece'”表示基本的或核心素养,专用于义务教育中的基于学科和跨学科的素养,强调了这些素养是构建终身学习的基础。法国法国的素养模型认为一个人的职业能力是与知识(avoir)、技能(avoir-faire)和社交能力(avoir-etre)三个方面密不可分的。素养是一种学习的动态过程,知识的积累与传递过程。从职业教育角度首先提出了关键能力的概念,即指那些与特定的专业技能不直接德国相关的知识、能力和技能,是在各种不同场合和职责情况下做出判断选择的能力,是胜任生涯中不可预见的各种变化的能力,由于其普遍适用性而不易因科学技术进步而过时或被淘汰。[1]辛涛,姜宇,林崇德,师保国,等,论学生发展核心素养的内涵特征及框架定位[U].中国教育学刊,2016(6):3-7+28.4第一部分学生的发展需要好的活动设计(续表)国际组织/国家地区核心素养的定义核心素养keycometecie)也称为综合职业能力或关键能力,是指为有效参与发澳大利亚展中的工作形态与工作组织必要的能力,其所强调的并非某个学科或某一职业领域所具有的知识和技能,而是学生终身发展所需要的能力,是一般性的核心素养被界定为能在台湾的社会文化脉络中,成功地回应情境中的要求与挑战,顺利完成生活任务,获得美好的理想结果所应具备的素养。核心素养是个人处于中国台湾地区社会中所必须具备之关键的素养,不但是个人生活所需之必要的素养,也是现代社会公民的必备条件,更是社会发展不可或缺的人力资本之重要素养。(二)我国学生发展核心素养的演进历程受到国际教育领域改革浪潮的影响,我国学界对“核心素养”也有了进一步的深化与发展。2014年3月,教育部发布了《关于全面深化课程改革落实立德树人根本任务的意见》,将研究制定学生发展核心素养体系放在了统领课改的关键环节四,这也是首次在国家的重要文件中使用“核心素养”这一概念。2016年3月颁布了《中国学生发展核心素养(征求意见稿)》。同年9月正式颁布了《中国学生发展核心素养》框架体系,四该框架以培养“全面发展的人”为核心,分为文化基础、自主发展、社会参与三个方面,综合表现为人文底蕴、科学精神、学会学习、健康生活、责任担当、实践创新六大素养,具体细化为十八个基本要点(如图1)。勇于银究!社会责任批判质疑国家认同、/理性思维科学精神费任国际理解,审美情感劳动意识1「人文情怀全面发展问题解决:的人人文积技术运用,自主发展学会学习健集生话、乐学学的于反思健全人格、、信息意识自我管理,图1林崇德课题组发布“21世纪中国学生发展核心素养”框架间北京师范大学《中国学生发展核心素养》课题组明确了学生发展核心素养的内涵:“学生发展核心素养是学生应具备的、能够适应终身发展和社会[1]教育部.关于全面深化课程改革,落实立德树人根本任务的意见[Z].2014-03-30.[2]林崇德,21世纪学生发展核心素养研究[M们.北京:北京师范大学出版社,2016[3]吴星.从三维目标走向核心素养[U].化学教学,2017(1:3-7.5○口△小学数学“好活动”思与行发展需要的必备品格和关键能力。”四为了更好地研究中国化的学生发展核心素养体系,更为了把党的教育方针科学地细化为具体的人才培养目标,林崇德教授对十八个基本要点的具体内涵进行了详细的阐述(见表2)。表2中国学生发展核心素养的维度与主要表现风一个三个六大核十八个具体内涵中心方面心素养基本要点具有古令中外人文领域基本知识和成果的积累;能人文积淀理解和掌握人文思想中所蕴含的认识方法和实践方法等具有以人为本的意识,尊重、维护人的尊严和价值:人文人文情怀能关切人的生存、发展和幸福等底蕴具有艺术知识、技能与方法的积累;能理解和尊重文化艺术的多样性,具有发现、感知、欣赏、评价审美情趣美的意识和基本能力;具有健康的审美价值取向:具有艺术表达和创意表现的兴趣和意识,能在生活文化中拓展和升华美等基础崇尚真知,能理解和掌握基本的科学原理和方法:尊重事实和证据,有实证意识和严谨的求知态度;理性思维逻辑清晰,能运用科学的思维方式认识事物、解决问题、指导行为等培养全科学面发展精神批判质疑具有问题意识;能独立思考、独立判断;思维缜密,能够多角度、辩证地分析问题,做出选择和决定等的人具有好奇心和想象力;能不畏困难,有坚持不懈的勇于探究探索精神;能大胆尝试,积极寻求有效的问题解决方法等能正确认识和理解学习的价值,具有积极的学习态乐学善学度和浓厚的学习兴趣;能养成良好的学习习惯,掌握适合自身的学习方法;能自主学习,具有终身学习的意识和能力等具有对自己的学习状态进行审视的意识和习惯,善自主学会勤于反思于总结经验;能够根据不同情境和自身实际,选择发展学习或调整学习策略和方法等能自觉、有效地获取、评估、鉴别、使用信息:具有数字化生存能力,主动适应“互联网+”等社会信息意识信息化发展趋势;具有网络伦理道德与信息安全意识等[1]林崇德.中国学生发展核心素养:深入回答“立什么德、树什么人”[U].人民教育,2016(19):14-1.[2]林崇德.构建中国化的学生发展核心素养[J].北京师范大学学报(社会科学版),20171):66-73.6···试读结束···...

    2023-02-18

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